SI2324DS-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
基本製品番号	SI2324
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.3A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.9V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	190 pF @ 50 V
消費電力(最大)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
その他の名前	SI2324DS-T1-GE3DKR SI2324DS-T1-GE3CT SI2324DS-T1-GE3TR SI2324DS-T1-GE3-ND

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