SI2328DS-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2281782-SI2328DS-T1-E3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI2328DS-T1-E3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | SI2328 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.15A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 250mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 消費電力(最大) | 730mW (Ta) | |
| その他の名前 | SI2328DS-T1-E3TR SI2328DST1E3 SI2328DS-T1-E3CT SI2328DS-T1-E3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
MBT2222ADW1T1Gonsemi
G6K-2P DC12Omron Electronics Inc-EMC Div
LT3956EUHE#PBFAnalog Devices Inc.
RSR010N10TLRohm Semiconductor
SI7898DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SI2325DS-T1-E3Vishay Siliconix- BSS670S2LH6327XTSA1Infineon Technologies
SS1FH10-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division- SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
