PSMN3R9-100YSFX

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK56; Power-SO8
基本製品番号	PSMN3R9
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	120A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	7V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	111 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	7360 pF @ 50 V
消費電力(最大)	245W (Ta)
その他の名前	1727-PSMN3R9-100YSFXTR 1727-PSMN3R9-100YSFXCT 1727-PSMN3R9-100YSFXDKR

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