SCT2280KEGC11

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
NOVA部品番号:
312-2294004-SCT2280KEGC11
製造メーカー部品番号:
SCT2280KEGC11
ひょうじゅんほうそう:
450
技術データシート:

N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247N

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
動作温度 175°C
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247N
テクノロジーSiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 14A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)18V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 1.4mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 36 nC @ 18 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-247-3
Vgs (最大)+22V, -6V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 667 pF @ 800 V
消費電力(最大) 108W (Tc)
その他の名前846-SCT2280KEGC11

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