C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
NOVA部品番号:
312-2289854-C2M0280120D
製造元:
製造メーカー部品番号:
C2M0280120D
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| 基本製品番号 | C2M0280120 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | Z-FET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 370mOhm @ 6A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 1.25mA (Typ) | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 20.4 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +25V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 259 pF @ 1000 V | |
| 消費電力(最大) | 62.5W (Tc) |
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