IPB80P04P4L04ATMA1

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
基本製品番号	IPB80P04
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	176 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±16V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3800 pF @ 25 V
消費電力(最大)	125W (Tc)
その他の名前	INFINFIPB80P04P4L04ATMA1 SP000840196 2156-IPB80P04P4L04ATMA1

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！