SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
NOVA部品番号:
312-2263200-SI6423DQ-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI6423DQ-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
| 基本製品番号 | SI6423 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 800mV @ 400µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V | |
| 消費電力(最大) | 1.05W (Ta) | |
| その他の名前 | SI6423DQ-T1-GE3CT SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 SI6423DQ-T1-GE3DKR |
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