SI6423ADQ-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-TSSOP
基本製品番号	SI6423
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	168 nC @ 8 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5875 pF @ 10 V
消費電力(最大)	1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
その他の名前	742-SI6423ADQ-T1-GE3DKR 742-SI6423ADQ-T1-GE3CT 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR

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