RS1G180MNTB

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-HSOP
基本製品番号	RS1G
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	18A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	19.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1293 pF @ 20 V
消費電力(最大)	3W (Ta), 30W (Tc)
その他の名前	846-RS1G180MNCT RS1G180MNTB-ND 846-RS1G180MNDKR 846-RS1G180MNTR

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