RF4C100BCTCR

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	HUML2020L8
基本製品番号	RF4C100
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	10A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	23.5 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerUDFN
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1660 pF @ 10 V
消費電力(最大)	2W (Ta)
その他の名前	RF4C100BCTCRDKR RF4C100BCTCRTR RF4C100BCTCRCT

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