BVSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2281348-BVSS84LT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
BVSS84LT1G
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 50 V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | BVSS84 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 130mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.2 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 50 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 36 pF @ 5 V | |
| 消費電力(最大) | 225mW (Ta) | |
| その他の名前 | ONSONSBVSS84LT1G BVSS84LT1G-ND BVSS84LT1GOSCT BVSS84LT1GOSTR 2156-BVSS84LT1G-OS BVSS84LT1GOSDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
LTC7004HMSE#PBFAnalog Devices Inc.
BSS84LT1Gonsemi
DMP510DL-7Diodes Incorporated
150080VS75000Würth Elektronik
MCP1700T-3302E/MBMicrochip Technology
SN74LVC1G14QDCKRQ1Texas Instruments
BSC105N10LSFGATMA1Infineon Technologies
BSS123Lonsemi- ZXTR2112F-7Diodes Incorporated
- TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
LTST-C191TGKTLite-On Inc.
LTC4020EUHF#PBFAnalog Devices Inc.
BSS84MDD
