NTMFS5H419NLT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
NOVA部品番号:
312-2278240-NTMFS5H419NLT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTMFS5H419NLT1G
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 155A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| 基本製品番号 | NTMFS5 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 155A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2900 pF @ 20 V | |
| 消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 89W (Tc) | |
| その他の名前 | NTMFS5H419NLT1G-ND NTMFS5H419NLT1GOSTR NTMFS5H419NLT1GOSCT NTMFS5H419NLT1GOSDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
DMN6140L-7Diodes Incorporated
IPG16N10S461ATMA1Infineon Technologies
BSC050NE2LSATMA1Infineon Technologies
SQ3481EV-T1_BE3Vishay Siliconix- BSC014N04LSATMA1Infineon Technologies
NTMFS5C430NT1Gonsemi