IPB60R060C7ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK (TO-263)
基本製品番号	IPB60R060
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™ C7
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	35A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 800µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	68 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2850 pF @ 400 V
消費電力(最大)	162W (Tc)
その他の名前	SP001385008 IPB60R060C7ATMA1-ND IPB60R060C7ATMA1TR IPB60R060C7ATMA1CT IPB60R060C7ATMA1DKR

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