IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2292311-IPB60R080P7ATMA1
製造メーカー部品番号:
IPB60R080P7ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IPB60R080 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 590µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2180 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 129W (Tc) | |
| その他の名前 | IPB60R080P7ATMA1TR IPB60R080P7ATMA1-ND IPB60R080P7 SP001664898 IFEINFIPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1DKR 2156-IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1CT |
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