FDB1D7N10CL7
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2312006-FDB1D7N10CL7
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDB1D7N10CL7
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) | |
| 基本製品番号 | FDB1D7 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 268A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.65mOhm @ 100A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 700µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 163 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 11600 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 250W (Tc) |
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