SQR40N10-25

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252 (DPAK) Reverse Lead
基本製品番号	SQR40
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	40A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	70 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3380 pF @ 25 V
消費電力(最大)	136W (Tc)
その他の名前	SQR40N10-25_GE3-ND SQR40N10-25-GE3 SQR40N10-25_GE3CT SQR40N10-25_GE3DKR SQR40N10-25_GE3TR SQR40N10-25-GE3-ND

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