SIA537EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
NOVA部品番号:
303-2248959-SIA537EDJ-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SIA537EDJ-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| 基本製品番号 | SIA537 | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 16nC @ 8V | |
| FETの特徴 | Logic Level Gate | |
| FETタイプ | N and P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12V, 20V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 455pF @ 6V | |
| パワー - 最大 | 7.8W | |
| その他の名前 | SIA537EDJ-T1-GE3TR SIA537EDJ-T1-GE3CT SIA537EDJ-T1-GE3DKR |
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