SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

NOVA部品番号:

303-2250913-SIA519EDJ-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIA519EDJ-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SC-70-6 Dual
基本製品番号	SIA519
パッケージ・ケース	PowerPAK® SC-70-6 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	12nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	350pF @ 10V
パワー - 最大	7.8W
その他の名前	SIA519EDJT1GE3 SIA519EDJ-T1-GE3DKR SIA519EDJ-T1-GE3CT SIA519EDJ-T1-GE3TR

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