SI7998DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

NOVA部品番号:

303-2248866-SI7998DP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7998DP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
基本製品番号	SI7998
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	25A, 30A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	26nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1100pF @ 15V
パワー - 最大	22W, 40W
その他の名前	SI7998DP-T1-GE3DKR SI7998DPT1GE3 SI7998DP-T1-GE3TR SI7998DP-T1-GE3-ND SI7998DP-T1-GE3CT

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