SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

NOVA部品番号:

303-2247920-SIRB40DP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIRB40DP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
基本製品番号	SIRB40
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	45nC @ 4.5V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4290pF @ 20V
パワー - 最大	46.2W
その他の名前	SIRB40DP-T1-GE3CT SIRB40DP-T1-GE3TR SIRB40DP-T1-GE3DKR

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