SI4922BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

NOVA部品番号:

303-2065731-SI4922BDY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4922BDY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4922
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.8V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	62nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2070pF @ 15V
パワー - 最大	3.1W
その他の名前	SI4922BDY-T1-GE3DKR SI4922BDY-T1-GE3CT SI4922BDY-T1-GE3TR SI4922BDY-T1-GE3-ND

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