SI4590DY-T1-GE3

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

NOVA部品番号:

303-2247465-SI4590DY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4590DY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4590
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	3.4A, 2.8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	57mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	11.5nC @ 10V
FETの特徴	-
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	360pF @ 50V
パワー - 最大	2.4W, 3.4W
その他の名前	SI4590DY-T1-GE3TR SI4590DY-T1-GE3DKR SI4590DY-T1-GE3CT

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