SI4946CDY-T1-GE3

MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

NOVA部品番号:

303-2251460-SI4946CDY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4946CDY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SO
基本製品番号	SI4946
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	10nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	350pF @ 30V
パワー - 最大	2W (Ta), 2.8W (Tc)
その他の名前	SI4946CDY-T1-GE3DKR SI4946CDY-T1-GE3CT SI4946CDY-T1-GE3TR

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