SQJ560EP-T1

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

NOVA部品番号:

303-2249437-SQJ560EP-T1_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQJ560EP-T1_GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array N and P-Channel 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
基本製品番号	SQJ560
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	30A (Tc), 18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	30nC @ 10V, 45nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1650pF @ 25V
パワー - 最大	34W (Tc)
その他の名前	SQJ560EP-T1_GE3DKR SQJ560EP-T1_GE3TR SQJ560EP-T1_GE3CT

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