2SAR586D3TL1

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
NOVA部品番号:
301-2035912-2SAR586D3TL1
製造メーカー部品番号:
2SAR586D3TL1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 5 A 200MHz 10 W Surface Mount TO-252

More Information
カテゴリトランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
基本製品番号 2SAR586
シリーズ-
パッケージ・ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce 120 @ 500mA, 3V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic 320mV @ 100mA, 2A
周波数 - 遷移200MHz
電流 - コレクタカットオフ (最大)1µA (ICBO)
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)80 V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 5 A
トランジスタの種類PNP
パワー - 最大 10 W
その他の名前2SAR586D3TL1DKR
2SAR586D3TL1TR
2SAR586D3TL1CT

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