2SCR586D3TL1

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

NOVA部品番号:

301-2033578-2SCR586D3TL1

製造元:

製造メーカー部品番号:

2SCR586D3TL1

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 5 A 200MHz 10 W Surface Mount TO-252

More Information
カテゴリ	トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252
基本製品番号	2SCR586
シリーズ	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce	120 @ 500mA, 3V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic	300mV @ 100mA, 2A
周波数 - 遷移	200MHz
電流 - コレクタカットオフ (最大)	1µA (ICBO)
電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)	80 V
電流 - コレクタ (Ic) (最大)	5 A
トランジスタの種類	NPN
パワー - 最大	10 W
その他の名前	2SCR586D3TL1CT 2SCR586D3TL1DKR 2SCR586D3TL1TR

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