FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
NOVA部品番号:
312-2281814-FDMS86163P
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDMS86163P
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| 基本製品番号 | FDMS86163 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta), 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 22mOhm @ 7.9A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4085 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| その他の名前 | FDMS86163PDKR FDMS86163PTR FDMS86163PCT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
206-4RASTCTS Electrocomponents
ITS711L1FUMA1Infineon Technologies
150060VS75000Würth Elektronik
FDMS86263Ponsemi
SI7489DP-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMC86139Ponsemi
ST3485EBDRSTMicroelectronics
MIC2937A-3.3WU-TRMicrochip Technology
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
EASV2010BRA0Everlight Electronics Co Ltd
NVMFS5113PLT1Gonsemi
BSS84T116Rohm Semiconductor
