IXFH32N100X

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MOSFET N-CH 1000V 32A TO247

NOVA partie #:

312-2265013-IXFH32N100X

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXFH32N100X

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-247
Numéro de produit de base	IXFH32
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HiPerFET™, Ultra X
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-3
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	1000 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4075 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	890W (Tc)