IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
NOVA partie #:
312-2278460-IXFH20N100P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFH20N100P
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) | |
| Numéro de produit de base | IXFH20 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HiPerFET™, Polar | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1000 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 660W (Tc) |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IXFH32N100XIXYS