IXTP180N10T

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MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

NOVA partie #:

312-2264865-IXTP180N10T

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXTP180N10T

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Numéro de produit de base	IXTP180
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Trench
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	151 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	480W (Tc)