IXFX180N10
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
NOVA partie #:
312-2314455-IXFX180N10
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFX180N10
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HiPerFET™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 390 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10900 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 560W (Tc) | |
| Autres noms | IXFX180N10-NDR |
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