FDS6576

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MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

NOVA partie #:

312-2278004-FDS6576

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FDS6576

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

P-Channel 20 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDS65
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)	±12V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4044 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta)
Autres noms	FDS6576CT FDS6576TR FDS6576-ND FDS6576DKR