LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
NOVA partie #:
312-2280694-LND150N8-G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
LND150N8-G
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-89-3 | |
| Numéro de produit de base | LND150 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Fonction FET | Depletion Mode | |
| Paquet/caisse | TO-243AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 500 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.6W (Ta) | |
| Autres noms | LND150N8-GDKR LND150N8-GTR LND150N8-GCT LND150N8-G-ND |
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