IXTA1N120P

MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
NOVA partie #:
312-2298957-IXTA1N120P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTA1N120P
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

N-Channel 1200 V 1A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:IXYS
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-263AA
Numéro de produit de base IXTA1
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePolar
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.6 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 63W (Tc)

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