FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
NOVA partie #:
312-2263424-FDU6N25
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDU6N25
Paquet Standard:
5,040
Fiche technique:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | I-PAK | |
| Numéro de produit de base | FDU6 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | UniFET™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 250 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 50W (Tc) | |
| Autres noms | FDU6N25OS 2156-FDU6N25-OS FDU6N25-ND ONSONSFDU6N25 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
TSM4ND65CITaiwan Semiconductor Corporation
TSM600N25ECH C5GTaiwan Semiconductor Corporation
CSD18537NKCSTexas Instruments