LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
NOVA partie #:
312-2274209-LND01K1-G
Pièce de fabricant non:
LND01K1-G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:

N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Microchip Technology
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-23-5
Numéro de produit de base LND01
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 330mA (Tj)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Fonction FETDepletion Mode
Paquet/caisseSC-74A, SOT-753
Vg (Max)+0.6V, -12V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)9 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 5 V
Dissipation de puissance (maximale) 360mW (Ta)
Autres nomsLND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-ND

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