DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
NOVA partie #:
312-2264443-DMN1260UFA-7B
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
DMN1260UFA-7B
Paquet Standard:
10,000
Fiche technique:
N-Channel 12 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | X2-DFN0806-3 | |
| Numéro de produit de base | DMN1260 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 366mOhm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.96 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 3-XFDFN | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 12 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 360mW (Ta) | |
| Autres noms | DMN1260UFA-7BDIDKR DMN1260UFA-7BDITR DMN1260UFA-7BDICT |
In stock Besoin de plus?
0,08340 $US
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NC7SZ125P5Xonsemi
AT24C16D-SSHM-BMicrochip Technology
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.
430181038816Würth Elektronik
SI3460BDV-T1-E3Vishay Siliconix
SI8457DB-T1-E1Vishay Siliconix
DMP1555UFA-7BDiodes Incorporated
DMN65D8LFB-7BDiodes Incorporated
DMN1019USN-7Diodes Incorporated
