IPT60R022S7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
NOVA partie #:
312-2283888-IPT60R022S7XTMA1
Pièce de fabricant non:
IPT60R022S7XTMA1
Paquet Standard:
2,000

N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur PG-HSOF-8-2
Numéro de produit de base IPT60R022
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieCoolMOS™S7
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.44mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 12 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerSFN
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5639 pF @ 300 V
Dissipation de puissance (maximale) 390W (Tc)
Autres nomsSP003330410
448-IPT60R022S7XTMA1DKR
448-IPT60R022S7XTMA1TR
448-IPT60R022S7XTMA1CT

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