IRFH5025TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
NOVA partie #:
312-2277384-IRFH5025TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFH5025TRPBF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
| Numéro de produit de base | IRFH5025 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 250 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Autres noms | IRFH5025TRPBFCT IRFH5025TRPBFTR INFINFIRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF-ND SP001575486 IRFH5025TRPBFDKR 2156-IRFH5025TRPBF |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
FDS2734onsemi
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies- BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
SISS92DN-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS2734onsemi
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon Technologies
SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon Technologies
