TPH1110FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
NOVA partie #:
312-2273100-TPH1110FNH,L1Q
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TPH1110FNH,L1Q
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Numéro de produit de base | TPH1110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSVIII-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 250 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | |
| Autres noms | TPH1110FNH,L1QDKR-ND TPH1110FNHL1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNH,L1QDKR TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNHL1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNHL1QDKR |
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