IPB80N08S2L07ATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base	IPB80N08
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	233 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	75 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	300W (Tc)
Autres noms	IPB80N08S2L07ATMA1CT IPB80N08S2L-07-ND IPB80N08S2L-07 SP000219051 IPB80N08S2L-07DKR-ND IPB80N08S2L07 IPB80N08S2L-07DKR IPB80N08S2L07ATMA1DKR IPB80N08S2L07ATMA1TR IPB80N08S2L-07CT IPB80N08S2L-07CT-ND IPB80N08S2L-07TR-ND

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