RSJ650N10TL

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LPTS
Numéro de produit de base	RSJ650
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	65A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10780 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	100W (Tc)
Autres noms	RSJ650N10TLDKR RSJ650N10TLCT RSJ650N10TLTR

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