SPP18P06PHXKSA1

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MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3

NOVA partie #:

312-2288757-SPP18P06PHXKSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SPP18P06PHXKSA1

Paquet Standard:

Fiche technique:

P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Numéro de produit de base	SPP18P06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	18.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	81.1W (Ta)
Autres noms	SPP18P06P G-ND IFEINFSPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P H SPP18P06PH 2156-SPP18P06PHXKSA1 SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P H-ND