SPP80P06PHXKSA1

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MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

NOVA partie #:

312-2283529-SPP80P06PHXKSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SPP80P06PHXKSA1

Paquet Standard:

Fiche technique:

P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3-1
Numéro de produit de base	SPP80P06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5033 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	340W (Tc)
Autres noms	SPP80P06PH SPP80P06P G SP000441774 SPP80P06P H SPP80P06P H-ND SPP80P06P G-ND