AOTF11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
NOVA partie #:
312-2291976-AOTF11S65L
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
AOTF11S65L
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220F | |
| Numéro de produit de base | AOTF11 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | aMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 31W (Tc) | |
| Autres noms | AOTF11S65L-ND 785-1517-5 |
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