SPA11N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
NOVA partie #:
312-2278679-SPA11N65C3XKSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SPA11N65C3XKSA1
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-31 | |
| Numéro de produit de base | SPA11N65 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 33W (Tc) | |
| Autres noms | SPA11N65C3IN SPA11N65C3XK IFEINFSPA11N65C3XKSA1 SPA11N65C3IN-ND SP000216318 SPA11N65C3 2156-SPA11N65C3XKSA1 |
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