SQJQ144AE-T1

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SQJQ144AE-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8

NOVA partie #:

312-2288579-SQJQ144AE-T1_GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SQJQ144AE-T1_GE3

Paquet Standard:

2,000

Fiche technique:

N-Channel 40 V 575A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Numéro de produit de base	SQJQ144
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET® Gen IV
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	575A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	145 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® 8 x 8
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9020 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	600W (Tc)
Autres noms	742-SQJQ144AE-T1_GE3TR 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT 742-SQJQ144AE-T1_GE3DKR