SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
NOVA partie #:
312-2273678-SQJQ100E-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQJQ100E-T1_GE3
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Numéro de produit de base | SQJQ100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14780 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 150W (Tc) | |
| Autres noms | SQJQ100E-T1_GE3TR SQJQ100E-T1_GE3DKR SQJQ100E-T1_GE3CT |
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