IRFD9110PBF
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
NOVA partie #:
312-2264212-IRFD9110PBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFD9110PBF
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 4-HVMDIP | |
| Numéro de produit de base | IRFD9110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.3W (Ta) | |
| Autres noms | *IRFD9110PBF |
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