IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
NOVA partie #:
312-2263575-IRFD210PBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFD210PBF
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 4-HVMDIP | |
| Numéro de produit de base | IRFD210 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1W (Ta) | |
| Autres noms | *IRFD210PBF |
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